Dept. of Electronics Engineering Kyungwon University San 65 Bokjung- dong Soojung-gu Seongnam Kyunggi 461-701 Korea;
Dept. of Electronics Engineering Kyungwon University San 65 Bokjung- dong Soojung-gu Seongnam Kyunggi 461-701 Korea TEL: 82-31-750-5297 e-mail: es.cho@kyungwon.ac.kr;
photo leakage current; a-Si:H TFT; backlight; spectrum;
机译:背光源的光谱特性对a-Si:H薄膜晶体管的光电流的光电效应
机译:从CCFL背光的光谱特性分析a-Si:H薄膜晶体管中的光电流
机译:背光源的光谱特性对氢化非晶硅薄膜晶体管漏光电流的影响
机译:A-Si:H薄膜晶体管的光电特性通过各种背光源的光谱特性
机译:用于增强离子注入薄膜和非晶混合氧化物薄膜晶体管性能的新型低温工艺。
机译:源/漏电极对氧化硅锡薄膜晶体管电性能的影响
机译:背光源光学特性对A-Si:H薄膜晶体管光漏电流的影响研究
机译:在柔性显示器的塑料和金属箔上直接制造a-si:H薄膜晶体管阵列