非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究

摘要

本文主要研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应.实验表明,随入射光波长减小,光电流增加.和积累区相比,耗尽区具有更高的信噪比,更适合于紫外探测.器件在短波时具有较大的响应度(＞1A/W),其截止波长在360nm左右.同时,也研究了源漏电压、沟道长度对光电流的影响.光电流与源漏电压之间具有良好的线性关系.随着沟长变短,渡越时间减小,从而导致了更高的光电增益.