机译:低温退火非晶氧化铟锌透明薄膜晶体管的非晶结构和电性能
School of Engineering, Box D, Brown University, Providence, RI 02912, USA;
School of Engineering, Box D, Brown University, Providence, RI 02912, USA;
School of Engineering, Box D, Brown University, Providence, RI 02912, USA;
indium zinc oxide; thin film transistors; amorphous oxide semiconductors; field effect mobility; X-ray diffraction;
机译:氦退火在低温和溶液加工非晶铟 - 氧化锌薄膜晶体管中的影响
机译:低温(120 C)退火对非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管载流子浓度和阱密度的影响
机译:低温(120℃)退火对非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管载流子浓度和阱密度的影响
机译:O_2退火对固溶非晶态氧化铟锌薄膜晶体管传输特性的影响
机译:透明电子用非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管,非易失性存储器和电路。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:使用低温原子层沉积柔性高性能无定形氧化锌薄膜晶体管