MOCVD法制备ZnS：Mn薄膜中锰掺杂浓度的实验研究

摘要

用ＭＯＣＶＤ方法制备ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜，研究了薄膜中锰浓度与ＴＣＭ源温度、衬底温度及ＴＣＭ源流量之间的关系。以ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜为发光层，制备了双绝缘层结构的交流薄膜电致发光显示器。