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孙凌; 高超; 杨华岳;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
上海宏力半导体制造有限公司;
原位水汽生长; 热载流子注入; 经时击穿;
机译:具有通过原子层沉积生长的HfO_2栅介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管中界面态的表征
机译:热电子应力下薄氮氧化物栅介质中界面态生成的研究
机译:室温生长界面阳极氧化Ox氧化物电介质堆的特性和可靠性
机译:HCl预处理对MOCVD生长Al2O3栅介质的AlGaN / GaN MOS-HEMT结构中氧化物/半导体界面态密度的影响。
机译:二氧化ha与多晶硅栅和双金属(钌-钽合金,钌)栅电极的界面工程和可靠性特性,适用于65 nm以上的技术。
机译:原子层沉积在InP上生长的HfAlO栅介质的能带偏移和界面性质
机译:Dy2O3栅介质的金属氧化物半导体场效应晶体管的电学特性和可靠性
机译:用电离辐射和Fowler-Nordheim应力生成氮化氧化物栅介质中的界面态
机译:形成多层栅氧化物层以防止由于厚度减小栅氧化物层而被杂质破坏的装置的特性和可靠性的方法
机译:绝缘栅型半导体器件及其可靠性和特性不会因按压而降低,并且使用该绝缘栅型半导体器件的功率逆变器
机译:研究流态液体流变特性的方法和装置
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