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李小进; 石艳玲; 赖宗声; 朱自强;
华东师范大学信息学院;
硅衬底; 射频无源低通滤波器; 版图结构参数; ADS软件; 散射曲线;
机译:用于射频无源集成的高级硅基衬底:局部多孔硅层技术与富陷阱高电阻率硅之间的比较
机译:温度对用于射频无源集成的高级硅基衬底性能的影响
机译:在硅衬底上形成的阳极氧化铝层上制造的无源器件的插入损耗特性
机译:硅上的单片射频有源和无源器件中温度引起的衬底效应
机译:绝缘体上硅无源极化转换器的设计和特性有限元分析。
机译:硅(111)衬底上的基于GaN的紫外线无源像素传感器
机译:多层有机衬底上嵌入式无源器件参数化的寄生感知射频设计
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:用于半导体器件的绝缘体上硅衬底或无衬底上硅衬底的制造包括在限定和掩蔽有源区并形成沟槽之后,在硅层和初始衬底之间形成隧道。
机译:具有在高电阻率硅衬底部分上的无源器件以及在衬底上的低电阻率硅层中形成的有源器件的硅集成电路
机译:高电阻硅衬底具有降低的射频集成无源装置的无线电频率损耗
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