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冯威; 刘健;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
功率放大器; 封装; 键合线; 阻抗匹配; 无线通信; 异质结双极晶体管;
机译:高效,高线性InGaP / GaAs HBT功率放大器:源阻抗和负载阻抗的匹配技术,可改善相位失真和线性度
机译:引线键合和倒装芯片技术中InGaP / GaAs HBT热性能的仿真比较
机译:无线手持机功率放大器的InGaP / GaAs HBT功率阵列中的热平衡技术评估
机译:InGaP / GaAs合并HBT-FET(BiFET)技术及其在手机功率放大器设计中的应用
机译:在引线键合技术中,研究低k裸片上直径为0.8密耳(20微米)的金键合引线的球形键合完整性。
机译:在通过火焰原子吸收光谱法测定之前使用与硅胶键合的硅胶上键合的钯纳米颗粒固相萃取其中钯纳米颗粒是通过硅胶键合的N-丙基吗啉化学键合的硅胶
机译:W-CDMA的ACLR不对称性的改进InGaP / GaAs HBT功率放大器
机译:用于微波半导体器件组合匹配电路的键合线的交互效应
机译:射频功率放大器电路在阻抗匹配中使用键合线
机译:具有引线键合输出匹配电路的MMIC功率放大器
机译:基于COB键合技术的激光二极管界面匹配装置
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