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郑瑞青; 郑耀华; 章国豪;
广东工业大学信息工程学院;
J类功率放大器; 效率; 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管; 单片微波集成电路;
机译:考虑高达7阶高谐波频率的微波F类InGaP / GaAs HBT功率放大器
机译:有源偏置电路的直流升压效应及其对AB类InGaP-GaAs HBT功率放大器的优化
机译:使用带IMD3消除的并联组合晶体管的线性InGaP / GaAs HBT功率放大器
机译:A 5 GHz高效率和低失真INGAP / GAAS HBT功率放大器MMIC
机译:高增益Ingap / GaAs异质结双极晶体管的低压金属化学气相沉积
机译:α粒子辐照对InGaP / GaAs / Ge三结太阳能电池的影响
机译:W-CDMA的ACLR不对称性的改进InGaP / GaAs HBT功率放大器
机译:Ku波段高效率Gaas mmIC功率放大器
机译:InGaP / GaAs-HBT的制造方法及评价方法
机译:用硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)集成栅全部(GaA)晶体管(HBT)
机译:HBT过程补偿的HBT功率放大器偏置电路和方法
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