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邢东; 李效白; 刘立浩;
河北半导体研究所;
河北工业大学;
硫钝化; GaAsMESFET; 击穿电压; 负电荷表面态;
机译:硫钝化对单个GaAs纳米线光电探测器暗电流的影响和机理分析
机译:硫钝化对HfO_2 / GaAs界面的影响:第一性原理研究
机译:化学硫钝化n-GaAs的XPS研究
机译:GaAs表面硫钝化研究进展
机译:研究光子晶体中的杂质模式和研究功率GaAs MESFET。
机译:硫K-Edge X射线吸收光谱Moox和Bisoxo MoVI双-二硫代戊二烯的分子密度和密度泛函理论计算:机理研究硫酸氧化酶中氧的转移及其与机理的关系DMSO还原酶的合成
机译:GaAs的硫钝化表面上的光诱导缺陷产生
机译:高击穿电压mEsFET,具有低温生长的Gaas钝化层和重叠栅极结构。 (重新公布新的可用性信息)
机译:具有LDD和非均匀P阱掺杂分布的GaAs MESFET
机译:GAAS MESFET的高频建模方法
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