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闫征; 武红磊; 郑瑞生;
深圳大学光电工程学院;
光电子器件与系统教育部重点实验室;
广东省光电子器件与系统重点实验室;
AlN; 第一性原理; 共掺杂; 电子结构;
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:P沟道硅纳米线冲击电离晶体管中原位掺杂硅;碳源和硅;碳I区的共集成
机译:P沟道硅纳米线冲击电离晶体管中原位掺杂的硅碳源和硅碳I区的共集成
机译:共掺杂走向纳米:硼和磷共掺杂硅纳米晶体的结构和光学性质
机译:修正的统计动态衍射理论:部分弛豫和有缺陷的碳掺杂硅和硅锗异质结构的新型计量分析方法。
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:光屏蔽电子孔对与磷 - 硼共掺杂硅纳米晶体中的自由电子之间的可忽略不计的电子相互作用
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。
机译:由含硅氧烷和硼的聚合物共混物形成晶体掺杂硼的碳化硅和非晶态碳硼化硅纤维的方法
机译:用作横向VMOS晶体管的晶体管结构包括n掺杂的衬底层,p +掺杂的层,外延生长的n掺杂的层,p掺杂的p阱,p +掺杂的袋和多晶硅层
机译:在沟道区中掺杂有碳的多晶硅锗合金的薄膜晶体管结构
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