C:Si共掺杂AlN的电子结构分析

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了C:Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结构、电子态密度等性质,分析了C:Si共掺实现p型掺杂的机理。在AlN的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,C-Si复合物形成,施主和受主杂质会相互补偿,导电性较弱；当提高C的掺杂浓度时,可能有C2-Si,C3-Si等复合物的形成,这些复合物的形成通常能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度。C:Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。