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高小奇; 郭志友; 曹东兴; 张宇飞; 孙慧卿; 邓贝;
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631;
Cd:O共掺杂; 纤锌矿AlN; 电子结构; p型掺杂特性;
机译:采用RF溅射合成的P型AlN共掺杂ZnO薄膜的光学和电气特性
机译:在p型GaN,p型AlN和n型金刚石中制备低电阻率宽带隙半导体的共掺杂方法:预测与实验
机译:生长条件,点缺陷和氢对p型(Al,N)共掺杂ZnO电子结构和性能的影响:第一性原理研究
机译:原子层沉积沉积AlN共掺杂ZnO薄膜的P型导电行为
机译:无铅钙铈共掺杂BaTiO3陶瓷的结构,介电和铁电特性
机译:通过单晶27Al和14N NMR和DFT计算研究AlN中的局部电子结构
机译:用mgGa-ONδ共掺杂改善纳米级(alN)5 /(GaN)1超晶格取代al0.83Ga0.17N合金的p型掺杂效率:O原子在GaN单层中的作用
机译:CdTe,Cdse和Cds电子结构的光电发射研究
机译:使用p型和n型共掺杂和选择性p型活化和去激活形成III-氮化物中横向Pn结的方法
机译:使用公共掺杂和公共蚀刻到n型和p型源/排水的半导体器件中的源/漏接触形成方法
机译:Li和Ni共掺杂的ZnO中稳定的P型半导体行为
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