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郎佳红; 秦福文; 顾彪;
安徽工业大学电气信息学院;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;
蓝宝石; 清洗; 氮化; 反射高能电子衍射;
机译:反应激光烧蚀沉积在Al_2O_3(0001)上的GaN外延薄膜的RHEED的XRD结构表征
机译:Si表面上GaN的二维异质外延纳米尺度系统的RHEED强度
机译:GaN薄膜和GaN基结构中位错EBIC图像宽度的研究
机译:用Rheed-Traxs对凝固分子束外延的IngaN和GaN生长过程中表面化学计量的原位研究
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:气相外延生长GaN薄膜表面的光电子能谱研究
机译:在si(111)上生长的邻近si(111)表面和ag薄膜的RHEED研究
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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