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一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法

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摘要

本发明公开的一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法，在蓝宝石衬底上制作二维光子晶体，改善蓝宝石衬底上GaN基外延的晶格质量，提高GaN基LED外延的内量子效率，将GaN基薄膜转移到热沉体材上后，利用GaN材料与SiO

1. 一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法 [P] . 中国专利： CN101673792B . 2011.09.21
2. 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法 [P] . 中国专利： CN103794688B . 2016.11.09
3. PHOTONIC CRYSTAL BASED OPTICAL SENSOR AND A MANUFACTURE METHOD THEREOF USING A THIN FILM OF A PIEZOELECTRIC MATERIAL AND A PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR20110030205A . 2011-03-23

机译：基于压电材料的薄膜和光子晶体结构的基于光子晶体的光学传感器及其制造方法
4. Method for manufacturing GaN-based film LED [P] . 美国专利： US7955959B2 . 2011-06-07

机译： GaN基薄膜LED的制造方法
5. METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED FILM LED [P] . 美国专利： US2011076791A1 . 2011-03-31

机译：制造基于GaN的薄膜LED的方法