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郑泽伟; 沈波; 陈敦军; 郑有炓; 郭少令; 褚君浩;
南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
调制掺杂; AlxGa1-xN/GaN异质结构; 二维电子气; 迁移率; 有效g因子;
机译:Al_xGa_(1-x)N厚度对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:回复``关于'调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中的自旋分裂的评论''
机译:评论“调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中的自旋分裂”
机译:子带间散射对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构的影响
机译:调制掺杂的砷化铝(x)镓(1-x)/砷化镓异质结中的声子散射。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:摘要摘要:调制掺杂异质结FET中的电容电压特性
机译:调制掺杂铝亚x镓亚(1-x)砷化物/砷化镓异质结中的声学声子散射
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
机译:包含Algan / GAN异质结和P掺杂金刚石门的增强模式场效应晶体管
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