氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理

摘要

为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016/cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况。研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著。晶片在300℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400℃之间。研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺。