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王玉恒; 马瑾; 计峰; 余旭浒; 马洪磊;
山东大学光电材料与器件研究所;
射频磁控溅射法; SnO2:Sb薄膜; 光致发光;
机译:电沉积多孔SnO_2薄膜的结构和光学性质:施加电势和沉积后退火处理的影响
机译:脉冲紫外激光退火对Sb / SnO_2薄膜的结构,光学和电学性能的影响
机译:退火温度和Eu浓度对金属有机分解法制备的Eu掺杂SnO_2薄膜结构和光致发光性能的影响
机译:真空热退火对Sb 2 INF> S 3 INF>薄膜的结构和光学性质的影响
机译:研究镉处理对光致发光和薄膜电致发光应用中的氧化锌镓锰薄膜的影响。
机译:退火处理对富硅SiNx:H薄膜的光致发光和电荷存储机制的影响
机译:高温退火后$ SnO_2 $:Eu和$ SnO_2 $:Eu,Sb纳米磷的结构和发光特性
机译:后沉积退火对TiN薄膜/钢基体界面结构和化学性质的影响。
机译:能精确控制发光色度的多色光致发光薄膜结构及制造多色光致发光薄膜结构的方法
机译:高能电子辐照对金取代的电化学还原氧化石墨烯的影响:修饰的光致发光性质
机译:用于薄膜半导体结构的退火,用于薄膜半导体的退火方法,薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法和显示器件。
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