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李友荣; 余长军; 吴双应; 彭岚;
重庆大学;
材料科学基础学科; 全局分析; 有限元方法; 硅Cz炉; 轴向磁场;
机译:通过轴向磁场和非轴对称温度的液体封装的Czochralski工艺在化合物半导体生长过程中的浮力对流
机译:超导水平磁场作用下Czochralski单晶硅生长过程中坩埚旋转和晶体旋转对固液界面氧分布的影响
机译:硅单晶生长过程中加热感应器电磁场频率对温度梯度的影响
机译:外部磁场下Si Czochralski生长过程的热流和流动分布的影响
机译:具有稳定和旋转磁场的化合物半导体晶体的液体封装Czochralski生长。
机译:定向凝固过程中静磁场引起的初生相轴向宏观偏析的形成机理
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:晶体生长过程控制Czochralski法生长锗或硅单晶
机译:单晶半导体生长技术-使用切克劳斯基(Czochralski)方法加上外加磁场,可提供均衡的轴向氧浓度。水晶坯
机译:Czochralski法和硅单晶锭生长硅单晶的方法
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