传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配

颜一凡

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传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配

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等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2001年第4期|453-459|共7页
作者
颜一凡;
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作者单位

湖南大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
氢化非晶硅; 等离子增强化学气相淀积; 匹配; 工艺;

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