MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变GaN的极性

摘要

讨论了采用MOCVD在Al2 O3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性 ,并用CICISS来测量这一极性 。