机译:利用CrN缓冲层在等离子辅助分子束外延在(0001)Al_2O_3上生长N极性GaN
Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea;
Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan;
growth model; molecular-beam epitaxy; nitrides; polarity; semiconductor;
机译:Al_2O_3(0001)上等离子辅助分子束外延生长的ZnO层中MgO缓冲液的研究
机译:AlN缓冲层对等离子辅助分子束外延生长在Al_2O_3衬底上GaN外延层的结构和光学性能的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长高电子迁移率晶体管的4H-SiC(0001)上GaN缓冲层的结构特性
机译:使用多AlN缓冲层在等离子体辅助分子束外延的多Aln缓冲层的生长和特征
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:等离子体辅助分子束外延在抛光钴箔上大面积生长多层六方氮化硼
机译:RF等离子体辅助分子束外延在中温GaN缓冲层上生长的高迁移率GaN外延层