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熊大菁; 侯苇;
清华大学微电子所;
超薄栅介质膜; 击穿特性; ULSI; 甚大规模; 集成电路;
机译:沉积后处理对RTCVD制备的用于ULSI器件的超薄氮化物/氧化物栅堆叠的影响
机译:氧化钇/二氧化硅:用于VLSI / ULSI电路的新型介电结构
机译:具有集成电路重点模型的量子力学校正仿真程序,用于仿真超薄氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流
机译:N_2O / NO基超薄氧氮化物栅介电材料在CMOS ULSI应用中的最新进展
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:用于ULSI电路中的层间介电的溶胶-凝胶沉积的多孔原基多孔低k薄膜
机译:开发用于测量VLsI和ULsI集成电路半导体多层膜厚度的XRmF技术。 CRaDa编号Y-1292-0130的最终CRaDa报告
机译:用于超薄界面介电层的多层清除金属栅叠层
机译:用于基于流过超薄介电层组件的电流提供稳定电流和电压参考的方法和电路
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