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段毅; 马卫东; 吕长志; 李志国;
北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室;
退化试验; 理想因子; 势垒高度; 肖特基二极管; 恒定电应力温度斜坡法;
机译:基于物理的功率SiC肖特基二极管模型的参数提取过程
机译:4H-SiC结势垒肖特基二极管在高温功率循环应力下的电热特性退化
机译:基于大功率肖特基二极管的倍频器的片上功率合并
机译:基于Si-MOSFET / Si二极管,SiC-JFET / SiC肖特基二极管和GaN晶体管/ SiC-肖特基二极管功率器件的非隔离式DC-DC降压转换器的对比设计和性能研究
机译:核辐射对肖特基功率二极管和功率MOSFET的影响。
机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:基于肖特基二极管的高功率220 GHz频率三倍的开发
机译:基于石英的Gaas平面肖特基二极管的加速寿命测试和失效分析
机译:基于高功率肖特基二极管的频率倍增器的片上功率合并
机译:基于高功率W波段/ F波段肖特基二极管的倍频器
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