多孔硅光电导特性研究

摘要

多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应 ,本文采用阳极氧化工艺制作了 Al/PS/Si/Al的结构样品 ,给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值。结果表明 :多孔硅禁带宽度在 1 .9e V左右 ,大于 Si的禁带宽度 1 .1 2 e V,这与多孔硅的发光现象和能带展宽理论相一致。