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肖雪芳; 谢生; 陈朝;
厦门理工学院电子与电气工程系;
天津大学电子信息工程学院;
厦门大学物理系;
化合物半导体; 锌扩散; 快速热退火; 砷化镓; 磷化铟;
机译:电路布局方法和半导体设备快速热退火方法已获专利
机译:快速热退火研究Zn(S,O,OH)/ Cu(ln,Ga)Se2界面的能带结构及其对光伏性能的影响
机译:Co和Mn注入和热退火宽带隙半导体化合物的通道研究
机译:III族Ⅴ族化合物半导体材料对纳米RingFET模拟性能的研究
机译:对III-V族化合物半导体的等离子退火(等离子沉积,硅氮化物,离子注入)进行俄歇电子和X射线光电子能谱研究。
机译:通过硅烷化合物改性和快速热退火处理化学镀镍磷膜在硅片上的附着力
机译:快速热退火工艺研究Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中锌的扩散
机译:III-V族化合物半导体深层缺陷和输运特性与生长参数和退火条件的研究。
机译:注入化合物半导体的两步快速热退火
机译:半导体器件的制造方法以及包括通过快速热退火处理的接触塞的半导体器件
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