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柏松; 陈刚; 冯忠; 钱峰; 陈征; 吴鹏; 任春江; 李哲洋; 郑惟彬; 蒋幼泉; 陈辰;
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室;
碳化硅; 金属半导体场效应晶体管; 微波功率; 单片微波集成电路;
机译:微波功率和S波段SiC MESFET的仿真
机译:使用MMIC MESFET功率放大器和变容二极管倍增器的W波段集成功率模块
机译:使用MSAG MESFET技术开发的Ku波段MMIC功率放大器
机译:使用MMIC变容二极管倍增器和MMIC功率MESFET放大器的W波段倍增器/放大器链
机译:砷化镓MESFET MMIC分布式放大器(微波,惯性,行波)的设计约束。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:具有优化驱动器的K波段GaAs MMIC微波功率Doherty功率放大器
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型
机译:具有不相等和任意功率输出比的MMIC放大器的Ka波段波导2路混合组合器
机译:具有无条件稳定MMIC FET单元的高增益K波段功率放大器
机译:卫星车载MESFET功率放大器及其电源单元无效,尤其是微波信号放大
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