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滕林; 杨邦朝; 杜晓松;
电子科技大学微电子与固体电子学院;
锰铜传感器; 压阻系数; 阵列式; 薄膜; 薄膜工艺; 高压测试; 传感器阵列; 压力测量; 制造工艺; 工作原理;
机译:瞬态液晶技术影响直列式和交错式射流阵传热的实验研究
机译:铜锰氧化物薄膜的电致变色性能,润湿性和光学研究:退火温度的影响
机译:将金属锰掺入用作铜扩散阻挡层的钌薄膜中的化学和结构研究
机译:铜/锰合金薄膜中锰前体的选择和原子层的热沉积
机译:钇 - 钡(,2)铜(,3)氧气(,7Δ)和镧(,1.85)锶(,0.15)铜 - 氧(,4)超导薄膜(,4)超导薄膜(,3)铜(,3)铜(,3)铜(,3)氧化液(,1.85)铜(,4)超导薄膜(4)超导薄膜(,4)超导薄膜电感的实验研究
机译:用于微量爆轰压力测量的锰薄膜超高压传感器
机译:基于铜酞菁薄膜的铜酞菁薄膜的 P i> -6P杂棒诱导生长,NO 2 sub>传感器
机译:锰,铁,钴,镍,铜和锌的富含中子的同位素的衰变研究
机译:铜锰合金溅射靶材,薄膜晶体管电线和薄膜晶体管
机译:铜锰合金溅射靶材,薄膜晶体管线和薄膜晶体管使用相同的
机译:铜锰合金溅射靶材,薄膜晶体管接线和薄膜晶体管使用相同的
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