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阵列式薄膜锰铜计的动态压阻响应研究

     

摘要

利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计,以氧化铝作为基片和绝缘封装材料.在结构上,4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布.51.72 GPa压力下的动态加载实验表明,4个计的压阻一致性好,无高压旁路效应,验证了薄膜锰铜压阻计动态测试的准确性和可靠性.

著录项

  • 来源
    《高压物理学报》|2004年第3期|279-282|共4页
  • 作者单位

    电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054;

    电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054;

    电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054;

    电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054;

    电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O521.3;
  • 关键词

    锰铜薄膜; 压阻系数; 阵列式; 热处理;

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