首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究

不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究

         

摘要

目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究。分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用。将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83%((Ch_3COO)_2Cd)、2.89%(CdCl)2)、3.4%(Cd(NO_3)_2)、3.19%(CdSO_4)。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号