氟化非晶碳薄膜(a-C:F)的制备与表征

摘要

以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质。实验中薄膜的沉积速率可达220nm／min, 测得的介电常数为2．14-2．58。X光电子能谱表明,随着甲烷含量增大,薄膜中CF3,CF2结构含量减少而 CF和C*-CFx(x=1-3)交联结构增多:原子力显微镜表明,在采用C4F8为前驱气体时,高分子基团CxFy 在成膜时造成了粗糙不平、多孔渗水的薄膜表面形貌。结果表明,CF基因成分增加而CF2基团成分减小导致了薄膜电子极化增强,介电常数增大。