沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响

摘要

采用等离子体化学汽相沉积（PECVD）方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜。研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度。实验结果表明，沉积功率为140W时薄膜沉积速率最大，达到7．8nm／min。沉积功率为30W多晶硅薄膜的晶粒较大，平均尺寸200nm左右。沉积功率为100W薄膜有较高结晶度，晶化率达到68％。薄膜样品在波长为500nm的光吸收系数达到6×10^4cm^-1，在不同功率下样品的光学禁带宽度在1．70—1．85eV之间变化。