低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究

摘要

研究了在 LPLV CMOS工艺中 ,用表面沟 PMOS管工艺使 NMOS管的阈值电压发生偏移的问题。在使用表面沟 PMOS管的 LPLV CMOS工艺中 ,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布 ,导致阈值电压发生偏移。文章提出了三个解决方案 。