LDMOSFET漂移区参数灵敏度分析

摘要

高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求。结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响。根据分析结果,提出了一种改进方案。模拟结果表明,此方案可以使器件击穿电压提高27%,导通电阻降低10%以上。