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石梦; 阎海涛; 毛海央; 韩宝东; 孙武; 夏光美;
中国科学院大学微电子学院,北京100029;
中芯国际集成电路制造有限公司,北京100176;
过刻蚀; 高k/金属栅; 虚拟栅去除; 电子回旋共振; 侧向凹陷;
机译:掩模材料和工艺参数对氯基GaN干法刻蚀中刻蚀角的影响
机译:n〜+刻蚀工艺对Mo / Al / Mo数据线TFT-LCD制造的影响
机译:冻干二级干燥阶段中关键工艺和配方参数对乳酸脱氢酶的工艺稳定性的影响:小型冷冻干燥机研究。
机译:先进的浮栅刻蚀工艺中刻蚀腔条件对临界尺寸偏移的影响
机译:了解制粒和研磨工艺参数对颗粒关键质量属性的影响
机译:Box-Behnken设计在通过快速扩展超临界溶液工艺研究工艺参数对乙酰胺微粒生产的影响中的应用
机译:关键工艺参数对TiPro工艺生产的Ti-Al粉成本和质量的影响研究
机译:熔融沉积可加工蜡型工艺参数对表面光洁度的影响
机译:MOS晶体管Flash EPROM器件制造中氧化硅的各向异性化学刻蚀工艺
机译:MOS晶体管闪存EPROM设备制造中氧化硅各向异性化学刻蚀工艺的改进。
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