SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性

摘要

晶体生长初期成核阶段的籽晶表面变化对后续晶体生长质量具有重要影响。采用光学显微镜对SiC生长初期的表面和微管形貌进行观察。在8×10^(4)Pa、1800-2100℃生长条件下,籽晶表面出现了原子迁移产生的台阶。同时发现微管会严重干扰正常台阶流的运动,并且微管处会形成一个圆形凹坑。在2×10^(4)Pa、2150~2300℃生长条件下,发现籽晶表面中心已经形成了多个SiC晶核,籽晶边缘附近的部分微管已经产生明显应力区,且应力主要在紧贴微管并朝向边缘的区域,证明了台阶流是由中心向边缘移动的。此外,对加工后的衬底表面进行AFM观察,发现其表面同样存在取向不同的台阶,这可能与晶体生长初期的台阶形貌有关。