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红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO2特性

             
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摘要

本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化.密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程.

著录项

  • 来源
    《光散射学报 》 |2004年第3期|256-259|共4页
  • 作者

    钟志亲; 刘洪军; 袁菁; 王欧; 刘畅; 龚敏;

  • 作者单位

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 红外光谱分析法 ;
  • 关键词

    红外反射谱; 峰位漂移; SiO2/6H-SiC; 退火 ;

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