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杨易邬祥生杨林宝李允平;
中国科学院上海冶金研究所;
机译:液相外延生长的InP / InGaAsP / InP双异质结构晶片中的错配位错
机译:液相外延制备n-InP棒/ p-Si异质结的电子性质和横向不均匀势垒高度
机译:金属有机气相外延生长的高电流增益InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:通过液滴异质外延在(001)INP上的INAS量子点在1.55μm下的室温电致发光。通过液滴异质外延
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:高整流比大于109的透明CuI / ZnO异质结的碘化铜薄膜的室温畴外延
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:具有通过液相外延生长的In0.53Ga0.47as接触层的N / p Inp同质结太阳能电池
机译:INP / GAINASP双异质激光二极管,包含在双通道基板上的内置封闭式P-N结,具有潜伏的有源层,并且通过单步液相定律生产
机译:异质结和MDS结构中禁带最大宽度的材料电容测量方法
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