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公开/公告号CN113140620B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.02
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202110392314.0
发明设计人 薛军帅;姚佳佳;李蓝星;杨雪妍;孙志鹏;刘芳;吴冠霖;张赫朋;张进成;郝跃;
申请日2021.04.13
分类号H01L29/20;H01L29/205;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/02;
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-12-29 02:03:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-02
授权
发明专利权授予
机译: 在其栅极沟槽下具有异质结的宽禁带MOSFET及其形成这种器件的相关方法
机译: 宽禁带半导体材料中产生P型和P-N结的方法
机译: III-V型半导体外延生长的方法和装置,低温高密度等离子体的产生,表观金属氮化物层,表观金属氮化物异质结和半导体
机译:双靶同时激光烧蚀宽禁带半导体的原位空穴掺杂:GaN和SiC外延膜
机译:利用金属迁移增强外延生长高质量GaN / GaN异质结的低温GaN外延生长
机译:使用等离子体辅助分子束外延技术优化块状GaN衬底上GaN层和GaN / AlGaN异质结的生长
机译:利用反应性自由基和催化反应产生的高能前体,对宽禁带半导体进行低温外延生长
机译:子带外延生长和宽带隙锌-镁-硒半导体材料及其子结构的异质结构的表征。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:外延NBN / GaN超导体/半导体异质结中的动量分辨的电子带结构和偏移
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管