液相外延生长的GaAs/AlxGa1-xAs异质结构的俄歇电子谱研究

摘要

我们采用俄歇电子能谱仪对液相外延生长的GaAs—AlxGa1-xAs异质结构进行了研究。结果表明:在异质结界面处有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,过渡层的厚度依赖于溶液的饱和度。还对外延片表面的沾污情况进行了观测分析。