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朱龙德;
中国科学院半导体所1.3μm激光器研制组;
机译:1.3μm波长频段ALALAN / INP嵌入式异质结构室温连续振荡晶体管激光器
机译:1.0 µm波长的GaAsSb / AlGaAsSb双异质结构注入激光器在室温下连续工作
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:提取更多光以进行垂直发射:基于平坦带的1.3μm量子点光子晶体表面发射激光器的大功率连续波操作
机译:InGaAsP / InP激光器和异质结双极晶体管的垂直单片组合
机译:GaInasp / Inp双异质结构二极管激光器的室温CW操作发射1.1微米。
机译:通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
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