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发射波长为1.3μm的InGaAsP/InP双异质结激光器在室温(300K)连续相干

     

摘要

本文报导了室温(300K)连续相干的InGaAsP/InP双异质结激光器的制作,对液相外延生长及激光器的特性进行了讨论。

著录项

  • 来源
    《半导体光电》|1981年第2期||共页
  • 作者

    朱龙德;

  • 作者单位

    中国科学院半导体所1.3μm激光器研制组;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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