生长参数对InGaAsP/InP双异质结液相外延层性能的影响

摘要

＜正＞ 前言随着光纤中氢氧根浓度的下降,人们已发现在InGaAsP/InP发射的整个波长范围内（1.1μm～1.65μm）,光传输的损耗都比目前采用的GaAlAs/GaAs（0.85μm）要低得多。所以国内外都在积极开展长波长光源及探测器材料InGaAsP/InP的研究,亦都取得了相当的进展。从器件应用的角度来看,除了要求各层厚度、载流子浓度、晶体完整性、杂质种类外,还要求外延层间界面要十分平直,外延层表面要平坦,无残留InP液以及各层的掺