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等离子去胶工艺

         

摘要

<正> 目前,在半导体器件制造工艺中,特别是在用大园片投片进行研制和生产小、中、大规模集成电路中,用等离子去胶代替常规化学溶剂去胶及湿氧、高温干氧去胶,已显示出极大的优越性。该工艺,不仅操作简单,成本低,去胶速率高,基片温度低,表面清洁,不碎片,可节约大量的化学溶剂,消除丙酮、酸雾及废酸带来的环境污染,同时去胶完后,不用丙酮棉花对硅片表面拭胶。因而,可大幅度提高管芯成品率及器件可靠性。因此,从1968年开始,用等离子去胶以来,引起了人们的注意,目前国内许多器件厂都在大力推广使用。

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1977年第2期|12-15|共4页
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  • 作者单位

    韶光电工厂;

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  • 正文语种 chi
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