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AxcelisTechnologies; QingyuanHan; CarloWaldfried; OrlandoExcorcia;
无;
下游式等离子体; 低k介质材料; 去胶工艺; 掺氮氧化物; 多孔性低k材料; 等离子体气氛;
机译:用于hp22nm节点的低10nm以下CMOS工艺的节点低工作功率(LOP)
机译:致孔剂基低k膜工艺条件的变化:一种改进性能的方法,而无需更改亚100 nm以下铜镶嵌集成工艺中的现有工艺步骤
机译:0.18μm以下技术采用低离子等离子体工艺在低K材料上进行抗剥离
机译:等离子体与低κ电介质材料之间的相互作用。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:0.18μmCmOs工艺中高速低偏移动态锁存比较器的设计。
机译:低K介质材料中的电子辐射效应
机译:适用于0.18微米以下深层闪存技术的低缺陷密度工艺
机译:适用于0.18微米以下,硅化物cmos组件(c.m.h.sub.2m o)的低泄漏导向体系结构n。r.sup.12。
机译:适用于0.18微米以下盐碱金属元素的低泄漏导向架构
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