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清华大学绵阳分校;
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第一部分:通过电学测量获得的多晶硅发射极中的能带结构
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第二部分:由于多晶硅发射极中的残余应力导致的带变形
机译:多晶硅发射极形状对多晶硅发射极晶体管中掺杂物扩散的影响
机译:通过分子单层掺杂和微波并结合了CO2激光退火的3D堆叠IC应用,具有亚5nm共形掺杂层的高性能多晶硅无结晶体管
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:甘油掺杂的Sol-Gel微球:结构透视即将在聚氨酯泡沫行业中应用
机译:LPCVD沉积原位硼掺杂多晶硅及其在多晶硅发射器晶体管中的应用。
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:将掺杂元素引入硅层中的方法,多晶硅太阳能电池的制造方法,多晶硅薄膜晶体管的制造方法以及将掺杂元素引入硅层中的装置
机译:将掺杂剂元素引入到硅层中的方法,用于制造多晶硅太阳能电池的方法,用于制造多晶硅薄膜晶体管的方法
机译:能够防止N型和P型MOS晶体管区域的多晶硅耗尽率降低的双栅极杂质掺杂方法及其双栅极形成方法
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