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掺杂多晶硅及其在微波动率晶体管中的应用

         

摘要

<正> 引言 我们与北京电子管厂共同研制的400兆赫20瓦,1千兆10瓦的晶体管,在1974年作出样管的基础上,现在继续小批量生产。这种管子目前主要用在航空电台、微波中继通讯,经使用单位鉴定,电性能基本上达到要求。目前,该产品存在的主要问题是易烧毁。 为了提高管子抗烧能力,在制管工艺中一般都采用发射极镇流电阻。 通常采用Ni-Cr电阻、Pt-Si电阻,但镇流效果不理想,为进一步提高管子二次击穿性能,准备采用掺杂多晶做纵向分立镇流电阻。本专题工作是为此目的而开展的。

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1978年第6期|61-68|共8页
  • 作者

  • 作者单位

    清华大学绵阳分校;

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  • 正文语种 chi
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