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洪水力; 李天从; 刘锜英;
福州大学;
福州无线电三厂;
机译:锗锡P沟道MOSFET的硅表面钝化技术:抑制锗和锡偏析以提高迁移率
机译:具有高表面对体积比纳米结构的硅光子器件的表面钝化
机译:溶液合成,表面钝化,光学性质,生物医学应用和硅和锗纳米晶胞的细胞毒性
机译:臭氧对锗的氧化机理和表面钝化
机译:H钝化硅纳米线,硅表面系统和硅/锗核/壳纳米线的理论研究。
机译:用于纳米电子器件应用的基于硅和锗的金属核/壳纳米线
机译:用于Gaas量子线器件钝化的(111)B表面上的硅中间层的mBE生长和原位Xps表征
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:的方法,用于在身体的表面上形成具有薄的面积比导电性的硅半硅锗,并提供有通过该方法生产的硅半硅锗器件。
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
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