掺杂多晶硅（DOPOS）技术

摘要

＜正＞ 掺杂多晶硅技术又叫做DOPOS（Impurity Doped Polycrystalline Silicon）技术。 近几年来,用此种半导体器件技术成功地制出了fT为8000兆赫的单个晶体管和由fT为1000～3000兆赫晶体管构成的集成电路。因而DOPOS技术已引起国内外的重视。 本文仅就DOPOS工艺及特点、DOPOS淀积及检测分析、DOPOS扩散等问题做一简略介绍。