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曹普光;
774厂中心实验室;
机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:含锗锗硅化物金属源极和漏极的富锗应变硅锗线三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率和驱动电流增强
机译:锗硅半导体纳米线异质结构的生长,缺陷形成和形貌控制
机译:通过快速热退火的点缺陷注射影响下硅和硼锗在硅和硅锗的锑和硼扩散
机译:在不匹配的锗和硅锗/硅衬底上生长的外延砷化镓材料中的缺陷的微观结构研究。
机译:Zintl相作为反应性前体用于合成新型硅和锗基材料
机译:半导体材料(6)如何制造硅和锗单晶(第2部分)
机译:用于长波长检测的非制冷红外微测辐射热计和硅氧化锗(sixGe1-xOy)红外敏感材料。
机译:通过提供渐变的锗浓度来降低包含硅/锗半导体材料的PFET晶体管中的缺陷率
机译:可用于光伏和电子领域的纳米线,包括半导体材料和具有直接硅-硅-,锗-硅-和/或锗-锗键的化合物的前驱体或化合物的混合物
机译:减少微特征中的缺陷硅或硅锗沉积
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