星状结构对集成电路管芯成品率的影响及其控制措施

摘要

＜正＞一、问题的提出 在生产实践中,我们发现,硅单晶衬底经高温工艺（氧化、锑扩散和外延）后,用西尔（Sirtl）腐蚀剂腐蚀,其表面往往呈现出具有星状结构的滑移线（图1）。在显微镜下观察,沿滑移线有成排的位错蚀坑（图2）。 在我们现行的工艺条件下,这种缺陷出现的几率为60％左右。用具有这种缺陷的外延片生产集成电路时,其管芯成品率较低,且所有好的管芯都集中在晶片的中央部位,在星状线