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集成电路的新型欧姆接触ITO/SIS结构

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＜正＞ITO膜是在In2O3中掺有Sn的氧化物半导体,具有良好的导电性能.将其作为NMIOS集成电路的漏极引线,有如下优点:1.由于ITO膜与硅材料的功函数不同以及费米能级的钉扎效应,使N型硅表面反型,如图1所示,这有助于提高NMOS管的输出能力.

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来源
《半导体技术》 |1987年第5期|10-13|共4页
作者
詹娟; 何世平; 刘光廷;
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作者单位

南京工学院电子工程系;

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