Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

冯玉春; 张建宝; 朱军山; 杨建文; 胡加辉; 王文欣

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Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

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通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法.获得接触电阻率(ρc)小于9.5×10-5 Ω·cm2,透过率达到74%(470 nm)的Ni/ITO-p-GaN电极.

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来源
《发光学报》|2005年第6期|757-760|共4页
作者
冯玉春; 张建宝; 朱军山; 杨建文; 胡加辉; 王文欣;
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作者单位

深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;

深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;

深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;

河北工业大学,天津,300130;

深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;

深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;

深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
p型氮化镓; Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO); 欧姆接触;
入库时间 2022-08-18 01:48:43

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